我们的三相逆变全桥，只要一给驱动信号，直流侧电流会提高很多，电压也降低，这是什么原因？死区时间我有设置的4.5us的，应该没问题吧？不可能上下两桥会同时导通。电感也很小啊，2mh的LC滤波。IGBT模块，我用百度来的方法测试了，应该没问题。这是什么原因？

全桥式变压器开关电源与推挽式变压器开关电源一样，由于两组开关器件轮流交替工作，相当于两个开关电源同时输出功率，其输出功率约等于单一开关电源输出功率的两倍。因此，全桥式变压器开关电源输出功率很大，工作效率很高，经桥式整流或全波整流后，其输出电压的电压脉动系数Sv和电流脉动系数Si都很小，仅需要一个很小值的储能滤波电容或储能滤波电感，就可以得到一个电压纹波和电流纹波都很小的输出电压。

这根环路设计有关，纹波电压变大，这个纹波和正常的纹波意义完全不同，它是系统的自激，加假负载就是提高系统的阻尼比，增加系统的相位裕度。提高相对稳定性，消除自激，除非你在环路增加极点，否则只能加假负载，现在大多数电源都加了假负载的

有目的的在中掺杂从前改变其导电类型（即改 变费米能级的位置）1975年便获得了戍功然而《-Si:H 带隙中所具有的大量的态密度使得掺杂并不那么有效，最近 研究指出，在a-Si:H中掺杂效率汉为0.1 — 1洚很明 显，许多掺杂原子并没有进人到电激活的替代位置，大量的掺 杂物质实际上使得Si:H的结构发生畸变，反过来又影响 了少子的迁移率.用霍耳效应测SD°7】得知，在中掺 磷后，约在￡,下0.13#处形戍一个磷杂质带，而且推算 10-*

该系统综合了电路设计、微机控制技术、通信技术及相应的软件技术等，所研究的内容包括：USB总线在单片机控制系统上的应用；基于USB总线的单片机系统的固件的开发及USB协议在单片机系统上的实现；服务于单片机控制系统的USB驱动程序的开发；计算机图像的处理及数据格式的转换，以及字符与手写体显示的实现；LED屏幕显示的计算机仿真。

中性点接地，相电压就是对地（中性点）的电压，无论其他相是否发生与地短路，他都不会变化，因为中性地点不会产生偏移，但是中性点不接地系统相电压是对中性点的电压，当单相与地短路的时候，中性点会产生位移，即将接地相变为0电位点，所以导致当中性点不接地系统单相接地时，其他正常相对地电压上升为线电压，而中线电压可能就上升至了220V了。

好了，我确实谈得也够多了，确实也感到累的呀，实在没有必须纠缠，就是本来没有如此绝对的东西，还是一句话，顺其自然吧，区区小事小菜一碟才对的呀，好了，不要再争论不休了，也许有非常的误解与误会，怎么都可以把，关系也不大的吗，就这样了，谈到这里吧。

最近，朋友送我了一个 三基色的led地埋灯，出于好奇，一拿到手就把他解剖了，解剖的过程历尽艰辛，主要是没有六角螺丝工具。。。汗流夹背终于把里面的心脏解剖了出来，控制电路不是很复杂，电容降压+二极管整流+稳压管，唯一好奇的是，这电路板控制芯片上面没有写明型号，出于保密？还是打磨掉了？不知道。输出波形已经通过示波器看过了，三个脉冲依次轮流给R,G,B，不知道论坛上的兄弟有没有 看到类似的控制芯片，推荐几款，业余玩玩，看上去很漂亮。这类LED不知道那边有的买。。。