如果工作频率较低，则P总下降较明显，极端一点，如果工作频率为0时，P总=P导通/2，每个管子的损耗为：P导通/4，如果每个管散热条件与单管的散热条件一致时，则温升仅为单管时的1/4。系统的P总下降了一半，而温升降低到1/4，系统总的等效热阻下降了50%。

对于传导和辐射，经过我这几年的实践，对于一些结论，很多都持保留意见，很多写书、写资料的基本都基于自己碰到的案例给出结论，但这结论放到10个案例，100个案例，都能得到相同的结果吗？这个就不一定了，一样的对策，可能在这个案例上是变好的，在另一个案子上可能就没有效果甚至变差。

现有一款5V2.1A原边反馈充电器、芯片为OB2532，为什么在RC吸收电路用1N4007时会影响满载时的输出电压？（满载输出电压只有4.43V）而换回FR107时又恢复正常， 本人纯属超级菜鸟求各位大师指点~~~

(1)禁带收缩造成禁带收缩的主要原因是：（a)硅的能 带边缘出现了一个能带尾态，于是禁带缩小到两个尾态边缘间的 宽度。（b)随着杂质浓度的增加，杂质能级扩散为杂质能带，并 且有可能和硅的能带相接（或称简并，杂质能带和硓能带简并）， 而使硅的能带延伸到杂质能带的达缘，禁带也就变小。〔c)高 浓度的杂质使晶格发生宏观应变（畸变），从而造成禁带随空间 变化而使禁带缩小。这三种原因定性地表示于图2-39中

1，增益为零的时候，看相移有多少，理论上是要求不能超过180度，实际上还需要保留一定的裕量，叫做相位裕度，一般相位裕度保留45度，那么就是说，相移不能超过180-45=135度。我们看到，在这个图中，在增益为零的时候，相移不超过120度。而且在整个增益大于零的情况下，相移都不超过120度，相位裕度都在60度以上。

两种6000W工业级高档艾默生ups电源，把Boost电感器组件磁芯材料增加到4副8块EE55复 合（中心柱仍加够气隙），这正是设计师充分考虑了艾默生ups电源整机功率由3500W扩展到6000W 之后，主功率开关电路的重要器件也应相适地作出调整。