时间不早了，得赶紧睡觉了，大家先看看哪里必须要改的，欢迎大家拍砖，也欢迎像我一样的新手在这里讨论。如果你有好的实验想法也欢迎提出来，只要我这里有条件做，我一定尝试，并把结果公布出来。可能也有一些前辈对这个幼稚的设计不屑于看。可是每个电源工程师都是要经过这一过程的，更何况我现在还不是电源工程师，这些都是自己在家倒腾的。我现在工作上的任务还是仪器仪表功率放大等等。只是跳槽之前总得外练一下筋骨皮吧。

若式（1.16)中和& (最大负载电流）为已知，且由式（1.21)计算出G并从式（1.19) 知石=(^ + 7；)/:「=0.8,则可求出L1，且电路保证不会进入连续工作模式。若输出负载电流 意外增加超过其最大设定值（即/?。减小超过其最小设定值）或％。下降超过其最小设定值， 则反馈环会增大来保持Vo恒定。这样就会占用死区时间，使电路的工作更接近连续工作 模式。为避免这种情况的发生，必须采用钳位电路来最大导通时间或最大峰值电流。

25 输入引脚的过电应力(EOS)保护........................................................................................................56

问一下楼主，共模电感你们是怎么绕的，带载的时候DC300V母线降低吗？我的降到了DC260V，我共模电感用1.2的线绕在绿环上面13T，带重载的时候电压降低了导致后级输出不稳定！之前没加共模电感电压 输出端不会出现不稳定！指教一下我这个菜鸟嘛谢谢啦！4块250W多晶硅并联电流能达到多少A

事实上元教授在226-227楼的狡辩中，已经偷换了概念：在PPT中用的是LED的正向压降ud去计算功耗。而在226-227楼中却用折线模型中等效的死区电压Uo去替代正向压降ud。可是同一个帖子里明明表示ud=Uo+ri, 前后矛盾！除了用Uo去错误的替代ud外，为了表明结果是误差较小的，还凑结果，编了个r=200Ω的假设。

如果你的33V是工作电压，肯定的告诉你是直接冲24V电瓶效率高，所有板子都并联，板子的输出电压和光照强度关系不大，光照强度主要影响输出电流，影响输出电压的主要因素是温度，如果你住的地方温度不高，电压肯定够，如果在三亚，广州，深圳，电压会低很多

可以采用如图16.14所示的两种方案来驱动基极。图16.14 (a)所示的方案采用了 RC 组合，每个基极和驱动绕组相串联。电容在基极处的反偏作用是加快晶体管的导通时间和缩 短晶体管的存储时间。同时，反偏有助于将晶体管关断电压的耐受值提高至Veev，而不是原

不负责任的厂家的同等型号，在其他厂家的同样型号中，反向电流在１００度为５０ｍＡ，那么，我们有理由认为，如果温度接近６０度，反向电流可能达到２０ｍＡ，如果反向电压为５０Ｖ，也是１Ｗ的功耗，完全不亚于所谓的导通低压的功耗。就是说，基本上大概其，可以认为肖特技二极管导通压降，可以乘以１．５～２倍为好！

当出现Ud。增加的情况时，流入X端的电流增大，最大占空比D祖随之减小。当从 90"?增加到190"?时，最大占空比D腿从78%(对应Ud。= 100V)线性降低到47%(对应 Udc = 375V)。当输入交流电压跌到40V以下或者直流高压Ud。高于450V和有高于450V 的过冲电压时，Ru均会使TOP249Y关断以免器件损坏。