A.光通的提高还需要从大功率的LED的外延技术、芯片工艺等基础层次进一步提升。目前,国内外制作白光LED的方法是先将LED芯片放置在封装的基片上,用金丝进行键合,然后在芯片周围涂敷YAG荧光粉,再用环氧树脂包封。树脂既起保护芯片的作用又起到聚光镜的作用。从LED芯片发射出的蓝色光射到周围的荧光粉层内经多次散乱的反射、吸收,最后向外部发出。LED(蓝)的光谱线的峰值在465nm处,半值宽为30nm。LED发出的部分蓝色光激发黄色的YAG荧光粉层,使其发出黄色光(峰值为555nm),一部分蓝色光直接或反射后向外发出,最终达到外部的光为蓝黄二色光,即白光。芯片倒装技术(FlipChip)可以得到比传统的LED芯片封装技术更多的有效出光。但是如果不在芯片的发光层的电极下方增加反射层来反射出浪费的光能,则会造成约8％的光损失。所以底板材料上必须增加反射层。芯片侧面的光也必须利用热沉的镜面加以反射,增加器件的出光率。而且在倒装芯片的蓝宝石衬底(Sapphire)与环氧树脂导光结合面间应加上一层硅胶材料以改善芯片出光的折射率。经过光学封装技术的改善,可以大幅度的提高大功率LED器件的出光率(光通量)。

三安光电产品订单满载，今年已启动扩产：8月份购买了4台MOCVD设备，此外还通过增发募集8亿元资金投向天津产业基地，将再增加15台MOCVDA设备；天津基地的年产能规模为外延片75万片，芯片200亿粒，完全达成后将超过公司现有产能。这部分产能预计明年年内可投产。

在熔融碳酸盐燃料UPS不间断电源 运行过枵屮，电解质熔盐会 发生一定的流失:：在间定填 允电解质的条件下，3熔盐 流失太多吋，隔膜中的大孔 中巳无法允满电解质。这时 会发生燃料与鉍化剂的互窜 现象，严31：时还会汙致UPS不间断电源 的火效。因此，必须减少电 池运行过程屮的熔盐流失， 并研究向电他内补充电解质 的方法。

EE42/21/20绕制的谐振电感，用在一款2.8KW的LLC上面，做了一个如图所示的夹具将其固定在一个铝型材外壳散热架上面，散热架尺寸（长宽厚=150mm*150mm*5mm，带30mm长锯齿），并且在紧贴面抹涂了导热系数为1.2的导热硅胶（自然冷却，没有风扇），在测试过程中发现，谐振电感发热很是比较严重，满载运行有95°之高，但是奇怪的是背贴散热架并不怎么样发热，感觉到谐振电感的热量并没有导到散热架上， 散热架都没有什么温升，直接用手触摸电感和散热架紧贴处附近，还是没有什么温度，但是磁芯却很发热了。后来将谐振电感拿出来，用一个12V 0.15A的小风扇对着吹强制冷却对比，谐振电感温度降到了68°左右。请问一下大家有何好的建议？

更换了PQ35的变压器，AE：196，频率100K时线包已经140多度，降低频率到50K，线包也是120多度，磁芯110度，环境都是25度，现在也不知道损耗在哪里了。频率升高时，效率降低了，输入多损耗了2W。现在就是在盲目做试验。

2. 我用UC2844弄了个AC220V——DC24V/1.5A的反激电源。带1A负载。3脚采样电阻用的0.65R，RT、CT设置振荡频率为220KHz，可是开关频率出现异常才58KHz。采样电阻减小到4.7R时，开关频率就正常了110KHz。这是怎么回事？是IC的误触发保护吗？

有很多人很容易把数字控制和单片机联系在一起，这也是个误解，一般小功率数字控制的并不会用单片机，速度是个问题，最关键同样成本下不来，目前主要还是逻辑电路为主，大功率的直接就是DSP了，单片机更多的用途是监控、通信等。