电压型逆变器的单闭环控制问题我采用的是将参考的正弦电压与采集的逆变电压进行PI调节然后赋给M进行累加M乘以正弦表再乘以周期寄存器赋给比较寄存器我出现的问题是在整定比例系数时逆变输出的电压波形会缓慢的衰减不管怎么调比例系数要么就是缓慢的衰减要么就是直接饱和了

请教下大侠们：在设计变压器的时候需要考虑的安规问题点：1.海拔5000米的距离是在海拔2000米的基础上*1.48：比如铁芯到二次侧脚PIN的距离-（4.4*1.48MM） 问题点：针对骨架小的比如EE13本身就小 很难满足安规要求的距离，至今还没想到好的办法解决一次侧绕组到二次侧脚PIN的距离（4.4*1.48MM）；如果初级引出线加套管的话，变压器供应商不能自动绕线，变压器成本下不来。

MOSFET能承受这个额考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。

332光耦检测的IGBT退饱和后，vout将自动拉低该驱动电压，关断该IGBT，并pin3 fault信号由高变低，但约滞后vout拉低2us；由于短路(直通)会产生较大的短路电流，光耦关断较快时，会产生较大的di/dt，很有可能导致直流母线电压振荡，及VCE电压振荡，由于IGBT C极和G极间的米勒电容，I=Cdu/dt,门极会有电流I流过，很有可能导致门极驱动电压振荡，导致IGBT保护失效。

但是你里面却用linfit.这里你用linfit是不也行的，因为温度（不管是开氏温度还是摄氏温度，个人认为最好化作绝对温度）里面有负数。或者你使用lnfit也不行，自变量必须是正数。如果你想要对数拟合，自变量是负数的话，可以使用logfit，因为logfit的拟合项里面是log(x+b)，但是我没有找到结果