如果开关频率为250kHz，周期为4Ms。占空比取10%，那么M0S7ET的导通时间仅为 400ns。如果MOSFET的开通和关断过程各需要100us，那么几乎大部分时间被导通/关断 的动态过程所占用。这样的变换器是低效率的。

我想实现这么一个功能：电池电压低于10V时MOSFET关断，即电池过放电保护；该图中IC的功能类似于一个比较器，就是说当6脚的电平低于1.3V 时，1脚输出低电平（0V），从而关掉MOSFET；但实际调试中发现，1脚已经是低电平0V了，此时V-,V+ 之间还有电压，（此时的电压等于电池电压）；请指教既然MOSFET是0V，为何此时此时V-,V+ 之间还有电压出现？我怀疑是MOSFET内置二极管导致的，但是有个现象我不明白：（我的输出额定负载是240mA）,当输出负载为130mA时，可以实现电池电压10V时，关掉MOSFET，此时V-,V+之间无电压；但是，当输出负载加大，这个关断电压就会下降，例如负载180mA时，电池电压需要下降至6V才能 实现V-.V+之间没有电压，在这里依然有个现象：量测当电池电压从12V开始下降至10V时，PIN 1脚的电压已经是0V了（即MOSFET G脚是0V）但是此时V-,V+之间依然有电压（等于电池电压）直到电压降低至6V时，这个电压才为0V；继续加大输出负载至240mA时，即使电池电压降低到3V，都无法实现V-.V+之间没电压输出。另外：如果我使用稍微大点功率MOSFET（100V，10A），这个电路就可以实现当输出负载240mA,电池电压下降到10V时，V-~V+之间为0V。（即，只有PIN 1输出低电平，V-,V+之间就没有电压）。明天把相关的datasheet上传。想不明白为什么。

我们知道LED的发光强度与正向电流IF几乎成线性关系,即增加正向电流IF可增加发光强度。但LED有一个最大功耗PD值的限制,PD=VF? IF(VF为正向压降),若过大地增加IF而使PD超过最大值时,LED会过热而损坏。为了要提高发光强度,开发出中功率LED(一般为几百mW),其工作电流也提高到70mA。近年来,为进一步提高发光强度,开发出大功率LED,其功率一般为1～10W(有一些还大于10W)。它的工作电流一般为 350～700mA,有些可达1A以上。

这足把绗合件放置在户外，在与其实^使用条件相同的 环堍下，定期测试其特性变化的一种试验方法。各种加速劣 化试验，敁终要与户外暴露试验结果相比较才能确定其加速 系数。当然，户外暴露试验有时间要求，严格地说，如果暴 餒试验时间达不到要求（寿命）时间，就不易确保产品寿 命。 '

呵呵，100K正常工作时，50%的占空比，MOS导通的时间是多长，5US，有没有烧电路，MOS有SOA区，有短路功率的承受能力，我们在做BMS就是用不同的时间和电流（多级电流保护）来控制功率MOS的SOA区，别说开关电源开机那几十A的电流，在电动大巴上短路电流你说有多大，还不一样可以短路！呵呵，不要说那不是短路，而是给初级电感充电哦，那短路开机也一样通过电感充电。

监控系统对信号的测量，其目的是为了将反映设备运行状况或环境优劣的各种物理量采 集下来，并转换成计算机能够识别和处理的数据量，同时在测量过程中不应影响到设备的正 常运行，不能因测量而使设备运行参数发生变化。所谓测量，又称检测，就是利用专门的技 术工具依靠实验和计算找到被测量的值。测量的最终目的是为了在限定的时间内尽可能正 确地收集被测对象的有关信息，以便获悉被测对象的参数，控制及管理生产过程。