我重新看了芯片的资料，对于COMP 脚：Input of the current mode structure,and output of the internal error amplifier.Allows the setting of the dynamic characteristic of the converter through an external passive network.The useful voltage range extends from 0.5V to 4.5V.The power MOSFETisalways off below 0.5V,and the overload protection is triggered if the voltage exceeds 4.35V.

对，是这个意思，第二个你说的B点应该是零，---改为：此时磁复位至B点应该为0。理论上是从0开始磁化到顶点，那么磁复位从顶点最终到0结束，即磁化曲线在第1象限，但是实际上磁通并不为0时伏秒就结束了，而是越过0点向第3象限继续磁化，直到伏秒结束，这什么会这样，greendot大师的解释是线路的阻抗不同，两个绕组的伏秒积总有差异，磁化从开机的0起0落偏向1、3象限起落，最终达到新的平衡：即在1、3象限间磁化和复位。这里我认为是+Bmax到-Bmax之间磁化和复位。

通常来讲，LED驱动器在适当的条件下提供恒定的电流来对LED进行偏置。如果我们考虑便携系统，其电源是输出电压范围在2.8～4.2V之间的电池(假设为是标准的锂离子电池)。由于根据偏置电流和室温的不同，当今的低功率LED的正向电压会在2.8～3.5V之间变化，需要一个接口来确保LED在正常工作期间恰当地偏置。这就是驱动IC的目的，而要考虑的第一个模块就是电流控制系统的电压范围。

R21等于V/光耦的最佳工作电流。（R20/R19）*V要等于2.5V就好了。R18、C9、C10是调频率快慢，一般是R18等于1--5K，C9等于104P--474P，C10等于103--223P频率的快慢是要根据你PWM芯片的频率来调，一般不要大于你芯片工作频率的1/3。以上是经验之谈，依据无从说起。。。

制作硅光艾默生ups电源所用的单晶硅材辑，大多是来用坩埚直拉 法制造的单禺棒料，它的性能将直接影响成品艾默生ups电源的光电转 换效率，用P型或n型硅作基体材料制成的n+/p型和;p+/n 型光艾默生ups电源，各项性能参数十分接近，都能得到性能满意的光 艾默生ups电源.硅材料的电阻率通常选用的范围为0.1—500 扩散也较快，所以铝可以在硅表面造 成腐蚀坑，对（wo)面影响较大,故不宜用来制作结深小于 OAfim的浅结艾默生ups电源的上电极，另外铝在潮湿气氛中，抗化学腐 蚀能力差，又易被氧化，所以在铝层上再蒸锒一层银，银的导 电性和可焊性都好,这样既起保护作用，又便于焊接外引线.

我刚才大概看了一下，布板没发现大碍。没看懂DC-DC是什么意思。主要看到你驱动电阻这块为什么选那么大。然后就是下啦电阻改小一点。另外460的最佳驱动电压10V，不知你选的可否为15V。还有就是为什么不选大电流IGBT，全桥拓扑，功率才3kw就并管，会大大降低稳定性。还有你的散热片好像太小，有没有风冷？你先慢慢调，我有时间再看看