7 差动放大器——良好匹配电阻器不可或缺的器件...........................................................................19

IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，经过长时间的探索研究和改进，现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已达到6500V，一般IGBT的工作频率上限为20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT，可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。GBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。

在生产及研究工作中，最常用的是石墨阳极D这种阳极的优 点是，在较高的电流密度（1.5?3.0安培/分米2)下使甩时，没有 钝化作用，过电位也不太高（见图3_44)[41]。在图3-44中值得注 意的是/当电解液的浓度提髙时，槽电压上升（见曲线1、2及3)。

可能电位器调的不是12v吧，Wt7515引脚资料参考http://wenku.baidu.com/link?url=CWDh3gEXIhYo1GHA-oEP9HQcp5BM7NYrkFRpRSQpwsNfPb3-0_M8D4fhFeI2Cqzx4yhwGiJdtXfX785J8VsCBCQhqZkjmOBfrFA-dVQQ30。电源插拔的时候打火怎么办？

在400W的时候了这个二极管两端的电压波形（图二的蓝色电压波形），还是挺正常的，但是就是发热，奇怪得不得了，然后又用一个电流钳卡了一下流过这个二极管的电流波形（图一的黄色电流波形，蓝色波形为MOSFET的DS电压波形），太奇怪了。请大家观摩。

2、一般适配器设计的时候都工作在DCM模式，为什么？比如5V5a的适配器，如果选用65KHZ开关频率，RM8磁芯，为了在250V变压器磁摆不超过0.25T，则原边匝数Np需要较多，而N=Np/Ns不能太大，否则副本电流有效值太大，则Ns可能就会超过4砸，甚至5砸，此时，磁芯骨架窗口就可能不够，然后就悲剧了。。。

图4-10中的充、放电主回路的保护开关K与匕应避免使用带有移动触点的开关(如继电器或接触器等）。而使用大电流通断性能较好的无触点开关（如可控硅、IGBT或MOSFET等），可有效地避免在大电流快速断开时所产生的电孤将开关的触点氧化，甚至粘连而不能断开失去控制。同时由于可控硅、IGBT或MOSFET等开关器件的驱动电流很小，有利于降低控制器的自身损耗。

FR207其实可以胜任，之前用别的变压器，误判了。HER307可以，估计HER207也可以。BYV26c就不行。我刚刚接触开关电源不久，都是自己摸索的，原因我还分析不出，就请各位大侠指点一二啦！！