光子能量高于2.4电子伏时，光谱响应由于砷化铝镓层'中光的吸收而开始截止。但是，缉 紳化招镓层制得更薄时，吸收减小，而响应的截止点也向高能fi方肉移动。如果进一步减 小厚度使与电子扩散长度可相比时，在砷化铝镓层中产生的一些载流子将向界面扩散，而 使P型砷化镓中的收集增加，因而进一步提髙了髙能量光谱响应。

我用AP3968做了一款5V/1A的适配器，空载正常，带载时电压掉得多，250mA时为4.7V，500mA时为4.3V，带载1A时只有3.2V，咨询了IC供应商，认为元器件参数和变压器参数设计都没有问题，这是为什么？是IC本身存在此缺陷？各位同仁有遇到相同的现象吗？急需得到答案。电阻有耐压之说么?

(2) 输岀电压和电压调节范围。这是按照负载的要求来决定的。如果需要的是冏定电 源的设备，其稳压apcups电源的调节范围最好小些，电压值一旦调定就不可改变。对于商用apcups电源， 其输出范围都从零伏起调，调压范围要宽些，且连续可调。

解离下来的和S2-离子随后又会重新沉积到较大的PbS纳米粒子上面。纳米粒 子光腐蚀的结果是小粒子逐渐消失，而大粒子逐渐长大。在Ti02/PhS电极中，Ti02表面 上的PbS纳来粒子也会发生类似的光腐蚀。阐8.5是Ti02/PhS电极在光照前和光照2 h 后的吸收光谱。吋以很清楚地看到经过2 h的光照射后，Ti02/PbS电极的吸收带边已经 往长波长移动。根据公式（8. 1 )可以计箅出PbS纳米粒子已经从4 nm生长到7 nm,

其实我跟你说吧，我以前做过400V7A的充电器，用1200V的整流管耐压是不够的哦，我看了下前人用的是2个1200V的串联，后来我用了2个600V的SIC串起来才好用。前级有箝位电路后级也有箝位电路+吸收电路啊，峰值相当恐怖的。嘿嘿。

你可以需要多大功率直接在你整流电路后面接上相应负载然后调到合适的电压，然后去除负载，接你的电路，这样空载的时候电压肯定高于42V，但是等你满载时，就是42V了，或者根据你负载的不同直接调节 ...

同时，PtFe合金催化剂还具有优良的抗烧结能力和抗腐蚀能力，这是由于合金中Fe对Pt原子具有“锚定效应”[91]，即在合金催化剂中，Pt原子周围的Fe原子可以和碳基体形成稳定的Fe3C金属间化合物，从而使Pt—C基体的结合力得到加强，合金催化剂变得更加稳定。

没怎么接触器件，所以就瞎选的。以后要多加强这方面的认识。那如果我做全桥高频，对于IGBT的选择雪版有什么建议。还有个很难解决的收敛性问题，因为我做的是零电压的，所以必须并联一个10nF的电容，这个对步长的选择不知如何是啊。希望雪版给点建议。

这个不一定，朋友你的说发有点偏激了，上次我有个客户他的产品比较特殊，用CC模式老化，电流在泰克示波器波形上显示是基本持平，电流波动在100mA以内，但如果使用CV模式老化，泰克示波器的上显示的电流呈波形，误差就比较大了，但是他们用可诺玛的LED专用负载时纹波电流比在CC模式下老化还要小了。不过他们的老化标准是以LED电源的标准来的。如如果你这样说的话，那他们的产品根本就是不能老化的了。