现在就是温升的问题，温升太厉害了，找不到原因。有没有可能是三相的整流电压高，我试了一下，单相，驱动波形好多了，这样是否驱动板有哪里可以调整的，弄不好和RC滤波有关系，那个电容用的只是普通的校准电容，没有用专用的IGBT上的小电容，，103/1000V的。新手，什么都得慢慢试。找经验。

吸收那边原来是用个10Ω和102电容，昨天去实验室辐射的时候，把电容加到202了好像没多大改善，输入前面工字电感是10uH 6*8的 0.5线径，感量在大的话，怕线径细了。板子很小，基于尺寸和成本输出端不能加共模电感。

电流（图1.10 (c))给Ql。当Ql关断时，所有存储在电感L1的电流或能量通过D1传递给 负载（图1.10 (d))o因为L1的电感值较小，所以通过D1的电流的下降斜率也很大 [d//d/-(V0-^n)/Ll],而且在Ql下一次导通之前流过D1的电流就已下降到0。输入电流

我在分析反激开关电流变压器时碰到了个问题，电路是最基本的单端反激拓朴，这里就不放上来了。反激是在开关管导通时，输出截止，输入电压对变压器初级充电，但是在开关管关断后，变压器向次级传递能量。但是这时变压器初级不是已经断开了，线圈中不是没有电流了，那初级线图不是应该没有电流了？这时要怎么传递能量？

(2)图7.7表明由于穿透几率的存在，I层抑制式（7.51) 中所表示的热发射电流的情况.图中给出由直接隧道效应控 制的电子的热发射穿越I层形成的电流与偏压P的关系m]， 图中假设《' = 1，并忽略绝缘层中的电荷，对应的材料接近于 GaAs,并且设金属功函数为4.80eV.图中曲线表明，当热发 射电子是以直接隧道效应穿过I层时，I层厚度每增加0.4

小公司都是这样，甚至老板做debug都很正常，一个新公司不能醉心于研究新技术，而是卖现有的产品开拓市场，首先要生存，资金第一位，市场第二位，技术第三位。除非台达无限制的投钱，否则资金用完就面对关门了，这是技术出身的老板和市场（销售）出身的老板的最大区别。

上面概述了OSI的网络层次结构及各层功能。若想在两个系统之间进行通信，要求两个系统都必须具有相同的层次功能a通信是在系统间的对应层（同等的层）之间进行的。同等层间又必须遵守一系列规则或约定，这些规则或约定称为协议。