反激表面看起来简单，但是要做好却非易事，这个俺也懂，但是由于俺只是拿这个东西来用，说白了就是能用不出问题就可以，至于纹波以及效率、负载调整率等等差些也无妨，因为俺的重心在于后面的辅助系统这一块，前面这个供电用的反激真的没有精力研究。谢谢大家

经过视频预处理的CIF阁像首先进入信源编码器进行压缩编码，编码方法采用预测编码 和变换编码的混合编码方式。山于阁像相邻帧间具有很强的相关性，所以允许每两帧传送K 图像之间有零到三帧不传，不传的阁像通过己传的前后图像计算得出，这就是预测编码；经 过预测编码后的图像消除了相关性，再通过离散余弦变换（DCT)，变换到频域中进行压缩， 去除一些不必要的冗余信息；最后将变换后的DCT变换系数（此时已经不是像素的亮度或色 度值了）送入量化器按2?62步长进行量化，该量化步长范围受后面传输缓冲器反馈信号K 控制。

另外用上图的 高压包磁芯自制了 个高压包~~测试能出波形 ，但有噪声，初次级离那么远漏感不是一般的 大啊·~示波器看MOS管D 级波形 有很大的尖峰，怎么去消除啊 ？》 我 上网查 资料看到人家的 产品都是 用上图那样的 高压包做的 啊 ~~

目前，由于单晶硅光艾默生ups电源的制造技术比较成熟，而且占商 品艾默生ups电源中的绝大部分，所以本章仍重点介绍单晶硅光艾默生ups电源的 制造，先简单说明它的一般制造工艺，再重点叙述为提高艾默生ups电源 转换效率、降低成本所采取的改进措施，最后介绍多晶硅光电 池和砷化镓薄膜光艾默生ups电源的特点和制造工艺.

第二种是高边驱动PMOS，这种结构的优点和第一种相同，也不需要自举升压驱动，但却是比较少见，原因在于PMOS的多子为空穴，迁移率低，造成PMOS的性能较差，另外，这种驱动要以输入为参考，同样会比较复杂。

首先是器件选型。在项目前期的准备阶段，器件选型是一个重要的工作内容。相应的每款芯片的datasheet开始最醒目的位置都会有一个简介和feature list，包括器件的供电电压，电流，功耗，资源，封装信息等等基本内容，通过这些内容我们就可以快速的明确芯片功能和使用领域，确定芯片是否能满足项目需求。以此来进行快速的筛选，完成选型工作。

将R8，R2（如附件sch文档）按照10V的输出调节比值，没有输出。将R8 R2换成如附件的值，输出就正常（可带载电流），再将R2缩小到10K和更小一点，输出就在5V左右跳动。输出不正常。请问谁有用过NT3875做高于5V的输出？从资料上看应该可以做高于5V的输出，但我为什么调试就不行勒。谢谢@

用UC3843 做一个简单的Boost升压电路，输入12V,输出24V恒压源,芯片工作中电压模式，本来目标是是电流达到2A,功率48W，结果测试电路功率最大32W,求大神指点，把功率提升到目标功率。。。下面是我的电路

吸收钳位法是一种新方法，对辐射噪声测量采用这种方法。由实验可知，一般家用小型电子设备的辐射噪声是经电源线（相当r天线）辐射出去的，由此，可根据测量电源线的福射噪声功率而推测辐射噪声的电场强度。吸收钳位法就是用铁氧体管吸收电源线的辐射噪声