2014年1月，国家标准化管理委员会发布了《嵌入式LED灯具性能要求》国家标准、《灯具 IK代码的应用》国家标准、新修订的道路灯具安全国家标准、新制订的《无极荧光灯安全要求》国家标准等多项LED相关标准。

电路拓扑是正弦电压3000V整流，然后经IGBT开关管逆变，再降压至50V整流得到50V直流电压。开环的时候可以达到，闭环（从别的地方拷贝过来的）之后输出电压在40V左右，一直上不去，关键是第一次整流开环的时候是3500V，闭环之后还不到3000V。我想请问这是闭环导致的，还是参数没设置好导致的，应该怎么解决呢？

本人菜鸟 应项目要求需要设计一款3kW单相并网逆变器如图 绿色是下桥壁mosfet驱动信号 蓝色是mosfet漏源极电压波形 在死区结束时也就是上桥壁导通时，在下桥壁的驱动信号上会有震荡 请大神帮分析一些 如有需要可以上原理图 谢谢各位

图2-58描述了在一定放电电流条件下，采用重整气燃料的PEMFC端电压与温度变化的关系。从图中300A/cm2与500A/cm2放电情况比较，可看出提高操作温度更有利于提升PEMFC大电流放电的性能。同时必须认识到：操作温度不仅影响催化剂活性、抗C()中毒能力而且还直接影响到质子交换膜的含水量，所以电池的性能特性与温度之间存在复杂的关系，不能简单地认为电池性能是单纯地随温度一致性地变化。

上采样电阻是Ra吧，这个和芯片的电感容差补偿有关，电阻变了，容差补偿对芯片输出功率进行了调节。调整这两个电阻是可以做到仅改变电压和仅改变电流。这个记不住了。反正采样电阻比例影响的是输出反馈调节，改变Ra是调整电感容差补偿。这两个都会改变输出功率。

2、这个滤波电容Cg必须贴近驱动IC的供电端子布置，这是因为驱动IC内部的电路和信号可能非常复杂和敏感，完全要仰仗这个电容来撑住。——这个布线原则对任何一个芯片（电路）都适用，即：每个IC的Vcc滤波电容无一例外的都必须就近钉在该芯片的Vcc和Gnd引脚上，没得商量。