apcups电源在存放和使用过程中，要经受环境的影响，因此对膜的 物理和化学稳定性有很严格的要求。首先要求膜层能与硅形成牢 固的粘附，能达到沸水、磨损、温度循环、热冲击和湿度存放的 试验要求，对大气及酸、碱气氛有一定抵抗能力。

(I) MAc)。2.5%?3.0%的Na()H和乙醇混合溶液也曾用于PBI的浇注[267]。从DMAc和Na()H溶液浇注得到的PBI膜，需要再经磷酸搀杂以获得质子导电能力。把PBI浸泡在室温下llmol/L的磷酸中，平衡状态下每个PBI重复单元可以吸附大约5个H3P()4[261，265，268，27Q]。其中有两个分子的酸是通过氢键与PBI

我画了个副边的等效草图，副边的二极管交错导通时，副边电感的漏感能量有部分流过这个小电容，形成LC震荡回路，由于添加了这个电容后,LC回路中的电容变大了(二极管也有结电容)，会导致谐振频率变小和电压幅值降低，从而降低了二极管的应力和改善了EMI.

现在做一个升压电路，升压变压器后接了倍压电路的。用的IC是UC3845,但是PWM是MCU产生用控制UC3845的(这一点不重要),变压器用的是灌封的EE16L，脉宽起来后，发现在Ton区间，电流上升到一定值后降了下来然后在上升，而不是电流随着脉宽展开一直上升，再随着Toff时间下降。是变压器储能不够，初级侧匝数过少？请技术帝帮忙分析下

14脚（MOD)调制输出端，用于控制充电电流。当MOD = 1时，有充电电流；当MOD=C 时，充电电流停止。如用5V山特ups电源供电，当SNfS端的电压低于220mV时，MOD为高电平；如果 SNS端的电压高于250 mV，MOD为低电平c

EG8010核心（EGS002驱动板）做的200W逆变器，出现了一些问题，如下图：输出LC参数datasheet上面的demo是3.3mH+2.2uF，实际调试后，无论如何调试LC参数，都会出现许多问题。