全桥整流滤波后的电压是24.3V，输出稳压应该是38.6V，UC3843为控制IC，接入220V市电时，输出电压会到五十多伏，然后再稳到38.6V，这个貌似浪涌电压的问题吧我觉得，看有懂得人来指教下吧，我也是才接触开关电源，大二而已，都不大懂，望各位前辈指教啊！刚刚烧了3个IC了

吸收光子后激发到导带，产生电子-空穴对，如图3,6所示.产 生在势垒区的电子-空穴对，在势垒区内建电场的作用下（由 n区指向P区）,将电子扫入n区，将空穴扫入P区，使之分 离.在n区势垒边界x == 0处,光生空穴几乎全部被扫入P 区，因而该处就与n区内部形成了指向势垒方向的少数载流 子（空穴）浓度梯度，便n区光生空穴以扩散方式向势鱼区运 动，一旦到达势垒边界，便被内建电场扫至P区，光生电子仍 留在n区，同理，P区势垒边界x -TF处光生电子近似为零， P区内郎也形成指向势垒方向的少数载流子（电子）浓度梯 度，使P区电子向势垒区扩散，到达势垒边界后即被扫至n 区，光生空穴仍留在P区.因之，各区产生的光生载流子，在内 建电场作用下，反方向越过势垒，形成光生电流.艾默生ups电源两端 开路情况下，被分禽的光生电子-空穴对分别积累在n区和P 区，与热平衡状态相比，n区有了过剩电子，P区有了过剩空 穴，这就建立起了以P区为正、^区为负的光生电动势（或称 光生电压）.如果将艾默生ups电源两端接/负载，在持续的光照下，就 会有电流从艾默生ups电源的P端经过负载流入n瑞，这就是p-n同旗 结光艾默生ups电源的简单工作原理?

在单向固化的冶金硅上用CVD法沉积掺杂的硅薄膜，制 成p+-n-n+艾默生ups电源的效率瘗许10洚.用直拉一次或两次的冶 金硅作衬底，用外延法或扩散法制结所得的艾默生ups电源的效率也比 较高.在区熔法提纯冶金硅衬底上，用CVD法淀积基区和发 射区，制成n + -p型艾默生ups电源，效率更髙些.下面举例介绍一种多 晶硅薄膜艾默生ups电源的制作过程.以石墨为甚片，将掺有含磷母合 金的纯化了的冶金硅粉熔化于石墨片上，用单向固化结晶法 制成M多晶硅衬底，其电阻率为0.01—0.03^3 ■ cm，厚约 1mm.在此衬底上，利用三氯氢硅还原法沉积硅膜，用磷烷、 硼烷作掺杂剂，用化学汽相掺杂形成P-n结.汽相沉积温度 为llSQt左右，三氯氢硅源温保持在l5t,氢气经过钯膜纯 化.制成的艾默生ups电源结构为P+/n/n+/石墨，直接利用石墨作背面 接触电极，层为纯化的冶金硅衬底，汽相沉积的n层厚约为 30声m，沉积速率为lpm/min，电阻率为0.1 —0,40 ? cm, p+ 层厚度为1 — 2f?n，沉积速率为O.S^ni/min,其惨杂分布具有 梯度，平均电阻率为0.002—(K005￡? ? chi.用掩模蒸镀钛、银 形成艾默生ups电源的栅线上电极，钛层厚SO—lOOnm，银层厚3—5 /*?!.蒸镀一氧化硅作减反射膜.

SunPower公司执行长Tom Werner先生也表示：“友达过去快速提升工艺技术的能力有目共睹，加上其持续且积极的成本效率，使其成为我们量产马来西亚合资电池厂的理想合作伙伴。友达光电在生产技术、管理效率及全球运筹等专业经验将为SunPower带来极大的价值。相信此世界级的制造结盟能使SunPower成为领先的太阳能电池技术平台之一。”

据iSuppli公布的最新统计数据显示，尽管世界经济不断恶化，但第三季度全球PC出货量依然同比增长15.4%，至7900万台。这一结果超出了iSuppli原先预计的12%。因此，该机构将2008年全年的增长预期从原先的12.5%提高到13%。但是，iSuppli没有更改明年增长率只有4.3%的预期。