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高频半桥逆变 MOS星怡蓄电池管 Vds差

来源:UPS不间断电源

高频半桥逆变 MOS管 Vds差

现在在做无线电能传输的实验,原边暂时是用的半桥逆变。现在驱动没问题了,但是MOSFET发热严重。上下两个MOSFET的Vds都很差。不知道是什么原因(估计是谐振的问题)。驱动用的是IR2110,200K的频率。下图是上下两个MOSFET的Vds和电路原理图。

希望各位前辈可以指教,有什么消除这么大的尖峰的办法。谢谢!

加点吸收同时改善布局。你制作的PCB板还是用洞洞板做的?

将来你的半桥母线电压就是20V吗?

恩,希望能那么高。但是现在工作到不了那么高,母线电压才5V,MOSFET已经开始热了。7,8V的时候MOSFET就烫手了。

现在照着别人论文,加了个RCD,还没试好不好使。

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