50VDC输入，48VDC输出，3.5A反激电源，MOS尖峰RCD吸收的计算

如标题，这个尖峰高达250V，怎样才能把这个尖峰消减下来，还要对效率影响不大。最好损耗在2W以下。

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小凡凡

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"这个电源是最低输入是50VDC，最高输入是250VDC。因体积有限，使用反激拓扑；RCD:5.1欧/2W，203C/1KV，MUR1100E，效果不是很好，尖峰比较大；另外短路保护功耗也很大，使用EI40磁材，三明治绕制，NP/NS/NF：24/36/10；NP感量40uH;"

这个技术参数肯定是不行了。

要想成功，必须不惜一切代价降低漏感，最低的指标也不能高于1%；

把开关频率降低至50KHZ，LP提高至150UH，再加大磁芯规格试试。

另外一种方法， ...

你这个参数，反激应该不是好的选择吧？原边电流过大，变压器漏感引起的尖峰只能是通过RCD吸收来想办法了。不知道你目前的RCD参数是什么？

对不住大家，条件我没说清楚，这个电源是最低输入是50VDC，最高输入是250VDC。因体积有限，使用反激拓扑；RCD:5.1欧/2W，203C/1KV，MUR1100E，效果不是很好，尖峰比较大；另外短路保护功耗也很大，使用EI40磁材，三明治绕制，NP/NS/NF：24/36/10；NP感量40uH;

别人最高输入电压是250V

X, 再看楼主的回贴，才发现是 50-250V 输入

算了，不回了！ 一楼不说清问题的人，明显都是挖坑的人！

谢谢您的建议！问题已解决。尖峰如此高，正是因为漏感大引起，将LP电感量提高到70uH，反向供电多加了一圈，去掉了二边挡墙，改为多股绕制，匝数不变，现在漏感约4uH，吸收电路没变，48V时尖峰(不算基波，只看漏感产生的尖刺)约75V，120Vin时效率92.3，120Vin时短路保护约5-10W（打嗝式保护），就这样了，不动了；

高见

正激要多加一个大电感，没有地方放了，所以用反激；

2W大吗？

用BUCK的效率在这里是最容易做高的,比较合适些.如果不要求共地的话,实现起来就简单了.

不，我用的是300V的耐压管子，在低端50V时Vds刚好不到300V，而到高端250V时，Vds就远远超过mos耐压了。

你太坑人了，

你要写清楚是:50-250VDC输入啊。

我做過一個隔離型 DC-DC 40W的案子，也遇到 LZ 同樣的問題。MOSFET Vds 尖峰過高,加大 RCD Snubber 作用不大，后面改成 LCD Snubber 就降下來了，但要注意吸收 Diode 的溫升會比較高.