请问前级的dc/dc在计算各个原器件的参数前提下，选MOSFET的管子是不是要先确定开关的频率，是的话要靠什么确定？应该不只是什么输入输出电压之类的吧？还有在计算占空比范围的时候，具体怎么计算呢，看了很多文献，但里面说的都是模糊不清，希望有好心人可以给解释一下，非常感谢！！！！！！！！！！！！！（新手勿喷）

1、在调试过程中，改变R48的值，电流不变，于是把R39去掉，换成了一个肖特基二极管，电流可调，但变化不大，输出负载60-30V时正常，暂时电流为5,8A，U2A的1脚电压为900mv，FB为2.56v，但负载在20V时，会出现突然电流增大很多，到二十多安，测量FB为3v左右，U2A的1脚为10V，为什么？SG3525的2脚输入是基准2.5v。

该芯片CU6503系列产品是采用一次侧调节技术，且带有单级功率因素校正功能的高集成度的通用型反激式转换器。采用高精度恒功率控制+恒流控制技术，对输出端实现了精确的调控，此类调控不受输入波动和输出电压的影响，可免除LED制造中的顺向压降分级和LED发光强度分级工作，在LED照明应用上，可简化电路设计。运用专有技术，在电路设计上，CCM工作模式，能轻松达到没有电磁干扰或超低电磁干扰，兼具高功率因素和低总谐波失真，真正达到绿色和环保的目的，CU6503系列产品中采用的单级拓扑架构和其独特的功率因素校正技术，让LED照明或AC适配器的方案用更少零组件，达到优异的性能。 芯片最大可以冲到150W，100W以上需要加驱动。

芯片用的3843，频率50KH在，Pmos的驱动电流20多毫安，设计压差GS设计压差6.2V，但是mos有一小段时间工作在线性区，压差先是4V，mos导通之后压差升为6V，这段时间损耗大，效率只有72%左右，现在想把波形整干净。

EAV图1-7和图1 -9)是一个2型接法线性运放，它的零点为Fz — 1/(2"R6C15)， 一个极点为Fp — 1V2"R6C13)，另外还有一个初始极点为1/[2讯3( C13 + C15)]。

(1) 对于综合局站（包括长途局、汇接局和交换母局等），由于其在通信网络中的重要 ft，其监控点的选取应较为全面、周详，以使系统能够全面地反映局站电源系统运行状况和 设备的工作状况，及早发现各种故障和故障隐患，避免造成大的损失。由于综合局站电源设 备通常维护较好，可靠性较高，因此一般很少需对设备进行遥控。

为了在LED中实现精确及稳定的正向偏置条件，通过与带隙参考提供的恒定电压相关的外部电阻产生一个参考电流。与运算放大器U1相关的晶体管Q1在Vref引脚产生恒定输出电压。Vref和地之间连接的外部电阻产生流经Q1和Q2的恒定电流。这个电流这时候就被Q3～Q7的晶体管系列建立镜像和放大，每个电流被连接至开关S1～S5，并且被晶体管Q8相加。最后，晶体管Q9复制参考电流至LED1。这种结构针对每个LED进行复制，而芯片的布局经仔细分析，以优化每个LED之间的匹配。