还有如IRFB4310型MOSFET管，TO-220封装，电流140A耗散功率300W，但实际上电流达到60A只能坚持1、2分钟，管壳温度就上到100多度，功率才几十W，那么怎样理解该管的数据指标呢？

请教下大侠们：在设计变压器的时候需要考虑的安规问题点：1.海拔5000米的距离是在海拔2000米的基础上*1.48：比如铁芯到二次侧脚PIN的距离-（4.4*1.48MM） 问题点：针对骨架小的比如EE13本身就小 很难满足安规要求的距离，至今还没想到好的办法解决一次侧绕组到二次侧脚PIN的距离（4.4*1.48MM）；如果初级引出线加套管的话，变压器供应商不能自动绕线，变压器成本下不来。

NU501 系列是一簡單的定電流元件,非常容易使用在各種LED照明產品. 其具有絕佳的負載與電源調變率和極小輸出電流誤差, NU501 系列能使LED 的電流非常穩定,甚至在大面積的光源上,電源及負載波動範圍大時都能讓LED亮度均勻一致, 並增長LED使用壽命。除了支援寬廣電源範圍外, NU501 的VDD腳可以充當輸出致能(OE)功能使用, 可配合數位PWM 控制線路,達到更精準的灰階電流調整應用。 當VDD and Vp 腳短接在一起時, NU501極小工作電壓的特性能當做一個二極管current regulative diode (CRD) 來使用. 這個功能使NU501在應用上非常容易. 就像一顆二極管一樣, 當這二極管應用在一串LED時, 即能使電流恆定。 在高壓電源和低LED 負載電壓的應用場合,多個NU501 能夠串接使用來分攤多餘的電壓. 這獨特過高電壓的分攤技術,非常適合在更寬廣電源電壓範圍的應用,而此特性是其他廠家的晶片所沒有的。

在电源上电，反馈还未建立时，在MOS导通时，RCD中C的电压应该和输入电压Vin一致，在MOS关断瞬间，Vds电压由0到VIN+VF建立过程中，此时RCD中的D应处于导通状态，此时继续向RCD中的C充电至VIN+VF，这样才有你所说到的Vc电压，即Vc是RCD箝位电容上的电压。但是，电容电压不能突变，因此您所说的RCD电容上的VC电压是怎样建立的呢？烦请解释一下。

最近调试一个180W机种，发现一个极其郁闷的现象：第一次测试最少余量都有7.8db，紧接着测试第二次测试发现最小余量只有1db左右，有6db的差异。超出部分主要集中在400K~1.5M之间。增大电感、X电容等N多措施均无效，由于现在在家无法发波形，请教各位大神是否遇到过类似情况？望不吝赐教，提供些建议。谢谢！

如阁17,7 (f)所示，当内部功率晶体管导通时，Gnd脚电位通过饱和晶体管被升至％， 并且电流通过&端和L1流入地。当晶体管关断时，L1两端电压极性反相，并通过D1使C1 的底端变为负电位。输出/输入关系是固定的，因为晶体管导通和关断时L1的伏秒数相等， 得到的表达式与（17.1)相同。

在开关稳压艾默生ups电源中，当输入电压发生波动、艾默生ups电源内部元器件随外部环境的变化其性能 参数发生变化、外部负载发生变化或某些突发事件出现时，均会引起输出电压的变化。输 出电压的变化经采样后与基准电压相比较产生误差信号，该误差信号再经放大，调节开关 电路的控制脉冲的宽度，从而控制开关器件导通和截止的周期，以期达到稳定输出电压之 目的。这种闭环反馈控制模式称为脉冲宽度调制(PWM)。