我昨天做的试验，在igbt当中流过5A-15a的时候。栅极控制电压还能保持13.8v（我的驱动就是13.8V的）。 此时CE压降是0.7V 。但当到20a的时候就就变成11v了，ce的压降变成了80v了。昨天再就不敢做实验了。今天把驱动改了，本想试试，然后向先测测门极驱动电压，就没把驱动电路连igbt，结果一上电，电路中有电流，停电后一测igbt，三个极都导通。igbt内部无明显烧痕。这是怎么回事啊 ，我的qq 2906951969

2.输出二极管问题： 我猜的不错的话楼主应该是用SB540&SB560,这样的二极管做2A 40°环温下，温升至少100°以上（本人经验）。建议二极管本体不要靠变压器太近，USB靠二极体也不要太近 二极体温度高 会把USB里面塑胶融掉，估计楼主是想用USB金属部分给二极体散热吧?

将电流取样电阻钳位在0.7V，保护电阻不被大电流烧坏。当采样电阻损坏是保护电路用的！否则反馈开路，电源输出电压很高会损坏负载和电源。因为稳压反馈是接在取样后面的，电流取样电阻如果损坏，那就是电压和电流都是反馈开路，会产生高压损坏负载。

如果是直流高压，也要视其安装方式而定，有无引入感应雷击的可能，或者最坏情况可能感应到的雷击电压为多高幅值。如有风险，仍然需要使用安规电容。参考61000-4-5的installation level。

太长了，反而更慢了？什么道理。进展就是我找到了没有使计算变长的一个文件，这个里面的一个管子正常一个不正常，检测的时候更奇怪，只是过了一个电阻而已，波形就坏掉了[url=http://bbs-static-1.21dianyuan.com/attachments/jpg/2014/04/25/2906951969535a474d06528.jpg][url=http://bbs-static-2.21dianyuan.com/download.php?id=2906951969]doublepp.zip

高压电源总线系统一般很难达到额定电压降低50%的指标。这种情况限制了钽电容用于电压导轨大于28V的应用。目前，由于钽电容需要被降额使用，高压滤波应用唯一可行的办法是采用体积较大且带引线的电解电容，而不是钽电容。

为解决这一问题，Vishay推出了一系列的HVArc（高压 电弧）防护MLCC（多层贴片陶瓷电容），可防止电弧放电，同时节省空间。这些新器件在较高的电压定额内具有最大容量，并且提高了电压击穿的耐受能力。高 压电弧放电会造成断路，并有可能损坏其他元器件。标准的高压SMD电容最终将会失效短路，这取决于电弧放电的次数和存在问题的部分。Vishay HVArc防护电容可以吸收所有的能量，因此，此电容能够在高压下进行正常工作，至少在达到高压击穿极限之前，不会产生破坏性电弧放电。