TI公司生产的电池管理IC（BQ3060,3050，Z系列）均有设定二次保护功能。若保护板的设计有设置二次保护，在电池生产的过程中员工的违规操作非常容易触发二次保护从而导致异常。本文对二次保护的设置，保护后的状态解除及注意事项做简单介绍。

用的是类似OB2536的IC，做5V2A的适配器，变压器是EE19，可是在带载2A没几分钟后，电压一直往下掉，后来就出现带不动，减少负载带载一段时间后又掉电压，最终维持在1.6a的负载能力上，看了变压器没有出现磁饱和。一直怀疑是IC温升的问题，可是这版IC在其他的板子100°都可以带载。想不明白从哪里入手，大师给支下招。 附上原理图。

①后备式方波UPS也采用了抗干扰式分级调压技术，当市电电压变化范围为180?250 V 时，输出电压稳定在220 (1 ±5°%) V，频率稳定在50(1±10°%) Hz市电中断时，UPS内部需要 4?9 m s的转换时间。

最近有一批产品，运行了1年内IGBT老是出现问题，用的是模块，里边有四个单管，奇怪的是坏的这些器件都是同一个单管出现问题，把IGBT拆解了一下，发现里边有个凹槽，现在想问的是导致这个现象的应该不是热击穿吧，我认为是瞬间的电击穿，没有烧毁痕迹，下边上图

修复方法有电子法、化学法和物理法。化学法是将含有“活性剂”化学成分的特殊 电解液（一般为半透明液体）汴人阀控式密封铅酸蓄电池内，靠化学反应消除硫酸铅结 晶，促使蓄电池内电流畅通并再生已老化的电池，有效延长其使用寿命。

楼上的，你好。COOLMOS推广初期在EAS.反向恢复，等特性上面不及普通的VDMOS。同时由于COOLMOS速度过快，造成的的尖峰问题也是引起失效的一个缘由。据说，欧美系的COOLMOS在推广初期在艾默生等大的电源企业出现了不少的问题，但随着技术的改进，COOLMOS应用已经比较普及，由于它的导通速度及RDSON等优势，已经在高端电源中开始广泛的应用。至于你说的SURGER测试不通过，那就要根据当时的情况查找具体的原因了。使用COOLMOS必然要对板子进行一些调整。

大家在设计一些中功率电源时，会考虑是否需要辅助电源，如75W~200W左右的PFC+LLC的电源中。如果采用传统反激的辅助电源，会增加成本，如果没有辅助电源，那么IC的启动和供电时序电路会比较复杂和不容易控制，影响电源整体的可靠性，而且成本也不低。

绝缘栅双极晶体管，又称绝缘门极晶体管（Insulated GateBipolarTiansistor，缩写为GBT)，是 MOSFET和大功率晶体管（GTR)的复合器件。它的内部结构、等效电路如图4.2.2(a)、（b)所 示。由图可见，它由增强型MOS管和三极管NPN、PNP管组成的复合管。其电路符号如图