小弟最近在学习pspice，也在看Chris basso大师研讨会的资料，我知道他好像是用pspice来仿真的，但是有个电路我却没看懂，下图中两个元器件看起来有点奇怪，因为我在书上和实际中都没看过，右边是不是运放，但和我们常见的运放符号有点区别，左边是不是个加法器？其实最主要的是我想知道这两个器件在pspice的哪个库中？

现在的手机 大部分用的都是高通的很多国产机都是用的联科发的其实我感觉现在联科发算不上山寨了 现在已经做的很不错了 红米 红米note 荣耀3C都是联科发的CPU 这几部手机的表现都不错苹果手机的A7CPU貌似由三星代工的苹果手机虽然硬件 比不上主流手机 但是加上IOS系统 使手机运行起来感觉比别的手机都略剩一筹IOS系统并不像安卓系统那么吃内存，也并不用多好的配置但整体表现确实很出色这也许是苹果成功的一个地方吧

因此，在标准上对过激磁能力有一规定，在设计时要保证稳压设备能具有一定的过激磁能力。在运行中，要保持一定的过激磁水平。如不具有过激磁能力或承受较大过激磁能力，会影响稳压设备的安全运行。制造中常采用高频机组作电源稳压器是为了铁心中磁通密度为额定值，如感应试验时一般要采用100Hz及以上频率的电源。本文转自：稳压器

小弟想设计一个DC/DC变换器，输入480~580，输出400V、12.5A，反馈用的TL431+PC817，反馈仿真电路和仿真结果如下。电流只有2A左右，输出电压一直上升，一直搞不明白原因，还望各位赐教

式中，A为铁心磁路截面积；人为铁心窗口面积；L为电感值；匕为电感电流最大有效值；Ip为 电感电流最大峰值；Bmax为磁路磁通密度最大值；d；为电感绕组导体的电流密度；k。为绕组在铁 心窗口中的填充因数。

变形的茂莱型逆变器比较大的缺点是主、辅晶闸管脉冲电流的时间比较长，而茂莱型逆 变器只冇一个换流脉冲。前者的第一个电流脉冲把电容中贮存的能量送回直流电源，第二个 电流脉冲又把同样多的能量从电源返回电容，第二个电流脉冲通过主晶阿管和辅助晶闸管， 辅助晶闸管的电流额定值要增加一倍，主晶闸管的初始电流也比较大，所以这种逆变器不适 于在高频下运行。

晶圆：即单晶硅圆片，由普通的硅沙拉制提炼而成，是最常见的半导体材料。按其直径分为4英寸、6英寸和8英寸，近年发展了16英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可安排的集成电路就越多，成本可降低，但要求的材料技术和生产技术更高。