该类电容用于整机X电路做抑制电源电磁干扰用途，工作于工频交流电路，该电容 不允许出现由于电源异常波动而导致的短路及起火等失效模式。该电容在工艺结构上为低熔点的铝锌金属化膜层，并采用符合阻燃性能达到UL94/V-0级标准 的环氧树脂及塑料壳包封，因此可保证在瞬间击穿时有极快的自愈特性和阻燃特性。所以在电源抑制干扰电路必须使用经过国家法定认证机构安规认证的交流薄膜电 容，而不能使用直流型电容器。

你的分析有问题，应该是根据安培环路定理Hl=NI.只要匝数N，线圈的电流，积分环路长度和积分线路不变，H就是恒定的。电磁感应强度是会变的，只是电磁场是无源场，散度为零，旋度不为零，所以磨气息后磁场H不变，磁感应强度是变小的。只是磁芯材质和气息的磁感应强度B是相等的，这些也可以用高斯定律解释。回去好好学习郭硕宏《电动力学》吧。

过去最常用的减反射膜的材料是一氧化硅。其折射率为U8?I.9,导致很低的最小反 射率（用二氧化铈替代一 氧化硅，因为二氧化钸吸收较少，但是加工比一氧化硅的困难U6S> ,因此从制造观点看， 即使它有略高的折射率，仍比较不理想。折射率为U86的三氧化二铝，应是一氧化硅的一 种很好的替代物，SisN

M57959L/M2906951969。是混合集成IGBT驱动器。它由高速光电耦合器隔离输入，其绝 缘强度高达2500V(AC)/min，与TTL电平兼容。芯片内有逻辑短路保护电路，并具有保护 延时特性。芯片由正负双艾默生ups电源供电，从而避免了单艾默生ups电源供电时，负电压不稳的缺点。 M57959L可驱动200A/600V或100A/1200V的IGBT模块，而M57962L驱动功率更大，可驱 动 400A/600V 或 200A; /1200V 的 IGBT 模块。

减低da /dt或df /dt是抑制可控硅稳压电源和开关稳压电源产生的EMI的主要手段。 目前，己研制成功谐振式、准谐振式、PWM控制的软幵关等功率变换器，使功率幵关管在电压 或电流过零时开通或关断，这种先进的零电压（零电流)开关技术不仅降低了功率开关管的动 态损耗，同时也大大减低了 dw /dt或d/ /d?，抑制了 EMI的强度。

(2) 工作压力 PAFC工作压力为常压至几百千帕。通常，对于小功率PAFC电池堆采用常压操作。对于大功率PAFC电池堆，大多采用加压操作。与常压操作相比，在较高压力下运行时，PAFC电化学反应速率加快、发电效率提高。对于加压操作的PAFC系统，工作压力一般设定在0.7?0.8MPa。

建议弄一块现成的评估板，然后自己计算一些参数换上去，看现象，然后不停地分析，熟了以后，自己再考虑重新做一块，或者再进入 3842 来做，flyback forward half-bridge push-pull 等，

可见，在山特ups电源工作时，电路端电压的伏特数只是山特ups电源电动势的伏 特数的一部分。从欧姆定律还可以看出，如果山特ups电源内阻不变，电路中 的电流是随负载电阻的改变而改变的。电流改变了，山特ups电源端电压也就 随之而改变。