目前制备带状硅和薄膜硅的各种方法大部分仍处在研究发展 阶段，但定边喂膜生长法（EFG法）已进入大量生产阶段。制 带状硅和薄膜硅，面积可达五十平方厘米，其晶粒大部分为孪晶 或多晶，其中少量是单晶（蹼状法影响质量的因素有晶粒尺寸 及排列、晶粒间界、杂质在晶粒内及晶界上的分布情况、缺陷（包 括位错及堆垛层错）等。一般希望带诖p/n结太阳apcups电源的效率 大于10钧；带硅的宽度达20cm;厚度小于拉制速度每 分钟大于带硅的质童与成本的矛盾在于硅带的生长速 度。生长速度趟快，生产率越高，设备费用及人工费用均越少。 为加快生长速度，必须快速冷却和快速结晶，因而晶体质量差， 晶粒细，缺陷多而不匀，并且内应力増加，造成变形弯曲。所以， 选择最优的生长速度，在高温拉引法中就是要严格控制冷却时的 硅带温度，并选择适宜的环境气氛。对于任何二种生长方法，考 虑生长速度时必须兼顾产量与质貴4

圆筒型锂离子二次电池内部为卷式结构。由锂钴（镍）材料为主的正极板和由碳材料为 主的负极板组成电池的正负极，用具有微孔结构的聚烯烃薄膜为隔膜，DMC与EC高纯度混 合溶剂与lmol/L的导电盐LiPF6或LiAsP6组成电池的电解质溶液。锂离子二次电池的结构 图详见图6-4-1

7、为何半小时后，整流桥，MOS管，次级二极管全炸呢。是因为次级整流管先坏1个，很快坏第二个，然后瞬间MOS和整流桥全部挂掉！！原因是，次级二极管没有压紧，在二极管背面（红外测不到）温度已经很高了，热坏了一个，然后发生这些悲剧。现在我正在寻找批产可以保证压紧散热的好方法，工人是不可能像我这样压的这么细致的，而且矽胶片有形变，个人感觉可能陶瓷片更好，而且靠用螺丝拧铝散热器的方法，铝是软的，拧多了滑丝，少了又不紧。不知道大家有何好的工艺方法。

文献的题目叫做：《High Efficiency Converter with Charge Pump and Coupled Inductor for Wide Input Photovoltaic AC Module Applications》，2011年IEEE上的一篇文章2011(vt)dc-dc.pdf

用辉光放电法制成的膜，可以认为是由于恶梓铋弓 氢结合而消除了消极的影响，所以严格地说，它是非晶沐哇 -絜合佥，可以苟成a-Si y前，达到实川水平的a-Si腆 是用辉光放电法制造的，使用的拟料足&匕与鉍或者SiF,与 Sill*,山此得到作晶体硅-献氢合金（a-Si : F: H)膜，